高速化と低消費電力化の追求は、人類の科学技術の進歩における大きな原動力となってきました。メモリの分野も例外ではありません。新しい世代が登場するたびににメモリの速度はより高速に、より大容量に、より低消費電力へと進化を遂げ、高速でありながら、低消費電力という究極のパフォーマンスを実現しています。

一世代前のDDR3メモリの速度、容量がボトルネックに達し、省電力機能が拡張されたDDR3Lもまた消費電力の目立った改善ができなくなったところで、新世代のDDR4メモリが誕生しました。下図に示すように、DDR4とDDR3Lを比較すると、必要電圧は1.35Vから1.2Vへ低下ししているにも関わらず、速度は50%向上しており、全体的なパフォーマンスはDDR3Lメモリを大幅に上回っています。

デスクトップコンピュータのU-DIMMでは、長さは変わらないものの、DDR4のピン数はDDR3の240ピンから288ピンへと増加しています。

1.ピンの増加

DDR4モジュールはカーブした端子設計となっており、基板の耐圧力を強化し、少ない力で抜き挿しができるようになっています。

2.カーブ端子設計

DDR4はより多くの信号層を格納できる基盤を採用しており、その厚みは従来の1.0mmから1.2mmへと増加し、より高い周波数のDDR4でも安定したパフォーマンスが発揮できるようになっています。

3.厚みを増した基盤

DDR4はデフォルトでより記憶密度の高いチップを採用し、その容量はDDR3の2倍となっています。消費者は同じ価格でより容量の大きなメモリモジュールを手にすることができます。

4.より大容量に

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