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行動與穿戴式裝置_PIC

行動與穿戴式裝置

為輕巧創新而生

從智慧手錶、健身手環到智慧耳機與可攜式智慧裝置,ADATA 提供輕巧、低功耗的嵌入式記憶體與儲存解決方案,專為空間受限設計、更長電池續航與日常穩定使用而打造。

穿戴式裝置的極致輕巧設計_PIC

穿戴式裝置的極致輕巧設計

智慧手錶、健身手環與智慧耳機等穿戴式裝置的電路板空間與電池容量極為有限。若使用分離的記憶體與儲存封裝,會佔用珍貴的 PCB 面積並增加佈線複雜度,難以實現更輕薄的產品設計。

ADATA ePOP 將 eMMC 儲存與 LPDDR 記憶體堆疊於單一封裝,大幅縮減電路板佔用面積; 如需分離式方案,ADATA另外也提供7.2 x 7.2 x 0.8 mm 小型封裝 eMMC,在不犧牲可靠度的前提下,實現更小、更薄的穿戴式裝置設計。

整合封裝堆疊最大化空間運用

威剛科技提供 將32GB eMMC 儲存與 32Gb LPDDR4X 記憶體整合於單一封裝的嵌入式方案,支援 HS400 模式與 4266 Mbps 記憶體速度,極大化節省電路板空間。

小型封裝:穿戴式裝置最適解

ADATA eMMC 5.1 採用 7.2 x 7.2 x 0.8 mm 小型封裝技術,提供 16GB / 32GB 容量,適合輕薄穿戴式裝置與配件設計。

可攜式裝置的效能與電池續航_PIC

可攜式裝置的效能與電池續航

可攜式智慧裝置正加入更豐富的應用與裝置端 AI 功能,需要更快的儲存與更高的記憶體頻寬;然而每一分功耗都直接縮短電池續航,精實機身的散熱空間也相當有限。

ADATA 以 UFS 3.1 高速嵌入式儲存搭配高達 8533 MT/s 的低功耗 LPDDR5X 記憶體,實現快速開機、流暢應用與裝置端 AI 能力,同時最佳化功耗表現,延長電池續航。

支援流暢存取 AI 模型的嵌入式儲存

UFS 3.1 嵌入式儲存提供最高 512GB 容量與 HS-Gear4 介面,支援快速開機、迅速載入應用程式,以及順暢存取 AI 模型。

LPDDR5X 記憶體:低功耗AI最佳化

LPDDR5X 低功耗、高頻寬 DRAM,速度高達 8533 MT/s,支援裝置端 AI 運算,並延長可攜式裝置的電池續航。

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ePOP (eMMC + LPDDR)

  • EPOP51C-032G32ATE: 整合式 ePOP 解決方案,適用於輕薄、低功耗穿戴式裝置
  • HS400 模式,記憶體速度 4266 Mbps,32GB + 32GB 配置
  • 8x9.5x0.8mm 精巧封裝堆疊設計,將儲存與記憶體整合於單一封裝,極小化 PCB 佔用面積,專為穿戴式裝置設計
ePOP (eMMC + LPDDR)_PIC

eMMC 5.1 Small Package

  • AEM516PE8S-0CMR / AEM532PE8S-0CMR: 小型 eMMC 儲存,適用於空間受限的裝置
  • HS400 模式,16GB / 32GB pSLC 方案
  • 7.2x7.2x0.8mm 精巧封裝、工作溫度 -25°C~85°C,適合輕薄、空間受限的產品設計
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LPDDR5X Memory

  • L5CG32D2023MCAS / L5CG32D4023MCAS: 高速 LPDDR5X 記憶體,兼具低功耗效能
  • 速度高達 8533 MT/s,密度 32Gb / 64Gb
  • 315-ball 封裝(12.4x15x1.1mm),低功耗設計,適用於電池供電的可攜式與穿戴式裝置
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UFS 3.1 Embedded Storage

  • AEU312TCAS-3GMR / AEU325TCAS-3GMR / AEU351TCAS-3GMR: UFS 3.1 儲存,提供高速且支援 AI 的效能
  • HS-Gear4 介面,容量 128GB/256GB/512GB
  • 高速嵌入式儲存,專為可攜式裝置的快速開機、應用載入與流暢的裝置端 AI 模型存取而設計
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ePOP 封裝堆疊整合技術

ePOP(嵌入式封裝堆疊)技術將 Controller, NAND 與 LPDDR 記憶體合封於單一封裝,相較於分離式元件可大幅縮減電路板面積並簡化 PCB 佈線。搭配 HS400 模式與 4266 Mbps 記憶體速度,ePOP 在滿足穿戴應用效能需求的同時,為更大電池容量或更輕薄的產品設計釋出空間。

低功耗設計,延長電池續航

ADATA 嵌入式解決方案專為電池供電裝置而設計。無論是追求高頻寬的 LPDDR5X(低功耗、高達 8533 MT/s),或是強調輕薄省空間的 0.8mm eMMC(降低佔用面積與熱負載),皆能維持穩定可靠度,協助可攜式與穿戴產品實現更長續航。

常見問題

選用 ePOP 能將傳統的兩個獨立 IC 封裝合二為一,大幅節省 PCB 電路板面積、打板焊點數量及 BOM 表料號管理成本。透過將記憶體直接垂直堆疊於主晶片(SoC)上方,DRAM、NAND Flash 與處理器之間的走線長度被極致縮短,進而顯著提升訊號完整性(Signal Integrity)並簡化 layout 佈線工程。對智慧手錶、IoT 物聯網節點與微型穿戴裝置而言,ePOP 是在有限微型空間內實現 32GB 儲存空間與 32GB LPDDR4X 記憶體的最佳解法。

ePOP 採用 Package-on-Package(PoP)垂直堆疊技術,直接將記憶體封裝於應用處理器(SoC)頂部,透過 FBGA 144-ball 介面與主晶片連接,完全不額外佔用 PCB 電路板平面面積。其內建的 eMMC 5.1 控制晶片在 HS400 模式下提供高達 190 MB/s 讀取與 115 MB/s 寫入的儲存效能,而同封裝內的 LPDDR4X 晶粒則擔綱系統記憶體;主控端(Host)將其視為兩個標準且獨立的介面,因此硬體團隊無需開發額外的特殊軟體驅動即可順利對接。

ePOP 的封裝尺寸僅為 8.0 × 9.5 × 0.8 mm,且直接安裝於處理器上方(垂直空間),物理上幾乎不佔用額外的電路板表面積。相較於將獨立 eMMC 與獨立 LPDDR4X 平面並排擺放的傳統設計,ePOP 省去了兩個元件的焊盤 Footprint 以及繁複的扇出(Fan-out)走線空間,能將珍貴的電路板空間留給更大容量的電池、RF 天線或各類感測器模組。

建議研發與採購團隊重點評估以下四大規格要素:

儲存與記憶體容量組合:確認符合主機平台需求(本型號提供 32Gb 3D TLC NAND Flash 搭配 32Gb LPDDR4X DRAM)。

封裝與腳位相容性(Ball-out):確認與應用處理器的匹配度(FBGA 144-ball, 8.0 × 9.5 × 0.8 mm)。

供電軌(Voltage Rails)設計:核心 VCC 供電為 3.3V,I/O 擺幅電壓(VCCQ)支援 1.8V 與 3.3V 可調,兼容多元主板平台。

環境耐溫規格:確認產品符合所需耐溫範圍(工作溫度 -25°C 至 85°C;儲存/非工作溫度 -40°C 至 85°C),以確保終端產品的運作穩定度。

內建的 eMMC 主控晶片透過低密度奇偶檢查碼(LDPC ECC)精確糾正位元錯誤,配合壞塊管理(Bad Block Management)自動封鎖失效區塊,並結合垃圾回收(Garbage Collection)與 TRIM 指令,確保產品在整個生命週期中維持穩定高效率的寫入效能與耐用度。極致微型化的尺寸加上嚴苛的溫控適應力,使 ePOP 成爲智慧手錶、醫療穿戴裝置、健身追蹤器及各式邊緣物聯網(IoT)產品極具可靠度的硬體基石。